居高不下的制造成本令Micro LED遲遲無法商用化，原因在于關(guān)鍵的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)瓶頸仍待突破。LEDinside指出，預(yù)計2018年“類Micro LED”顯示與投影模塊產(chǎn)品將率先問世，待巨量轉(zhuǎn)移制程穩(wěn)定后再朝向Micro LED規(guī)格產(chǎn)品邁進。
目前全球廠商積極布局轉(zhuǎn)移制程，但考慮每小時產(chǎn)出量（UPH）、良率及晶粒大�。ǎ�100?m）尚無法達到商品化的水平，廠家紛紛尋求晶粒大小約150?m的“類Micro LED”解決方案。
LEDinside研究副理楊富寶表示，Micro LED制程目前面臨相當多的技術(shù)挑戰(zhàn)，在四大關(guān)鍵技術(shù)中，轉(zhuǎn)移技術(shù)是最困難關(guān)鍵制程，必須突破的瓶頸包括設(shè)備的精密度、轉(zhuǎn)移良率、轉(zhuǎn)移時間、制程技術(shù)、檢測方式、可重工性及加工成本。由于涉及的產(chǎn)業(yè)橫跨LED、半導體、面板上下游供應(yīng)鏈，舉凡芯片、機臺、材料、檢測設(shè)備等都與過去的規(guī)格相異，使得技術(shù)門坎提高，而異業(yè)間的溝通整合也拉長研發(fā)時程。
LEDinside以工業(yè)制程六個標準差評估Micro LED量產(chǎn)可行性，轉(zhuǎn)移制程良率須達到四個標準差等級，才有機會商品化，但加工及維修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化產(chǎn)品，并達成具有競爭力的加工成本，其轉(zhuǎn)移良率至少要達到五個標準差以上。
盡管巨量轉(zhuǎn)移仍待技術(shù)突破，LEDinside指出，目前全球已有多家廠商投入轉(zhuǎn)移技術(shù)的研發(fā)，如LuxVue、eLux、VueReal、X－Celeprint、法國研究機構(gòu)CEA－Leti、Sony及沖電氣工業(yè)（OKI）；臺灣則有镎創(chuàng)、工研院、Mikro Mesa及臺積電。但廠商在選擇轉(zhuǎn)移技術(shù)時會依不同應(yīng)用產(chǎn)品而定，并考慮設(shè)備投資、每小時產(chǎn)出量（UPH）及加工成本等因素，而各廠商的制程能力及良率控制，也是影響產(chǎn)品開發(fā)的關(guān)鍵。
以現(xiàn)有的發(fā)展狀況看來，LEDinside認為室內(nèi)顯示屏、智能手表和智能手環(huán)將會是首先應(yīng)用Micro LED的產(chǎn)品。由于轉(zhuǎn)移技術(shù)的難度甚高，各應(yīng)用產(chǎn)品所需求的像素多寡不同，投入的廠商多半先以既有的外延焊接設(shè)備（Wafer Bonding）來做研發(fā)，或選擇像素數(shù)量較少的應(yīng)用產(chǎn)品為目標，以縮短開發(fā)時間。也有廠商直接轉(zhuǎn)向研發(fā)薄膜轉(zhuǎn)移（Thin Film Transfer）技術(shù)，但因設(shè)備須另外設(shè)計及調(diào)整，必須投入更多資源與時間，可能產(chǎn)生更多制程問題。
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